工艺解析：CPU全制程之光刻蚀技术

本文摘要：光光刻 这是目前的CPU生产过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说道呢？光光刻过程就是用于一定波长的光在感光层中打磨适当的刻痕，由此转变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长拒绝十分严苛，必须用于较短波长的紫外线和大曲率的透镜。 光刻过程还不会受到晶圆上的污点的影响。每一步光刻都是一个简单而细致的过程。设计每一步过程的所必须的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且生产每块处理器所必须的光刻步骤都多达20步（每一步展开一层光刻）。

光光刻　　这是目前的CPU生产过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说道呢？光光刻过程就是用于一定波长的光在感光层中打磨适当的刻痕，由此转变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长拒绝十分严苛，必须用于较短波长的紫外线和大曲率的透镜。

光刻过程还不会受到晶圆上的污点的影响。每一步光刻都是一个简单而细致的过程。设计每一步过程的所必须的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且生产每块处理器所必须的光刻步骤都多达20步（每一步展开一层光刻）。而且每一层光刻的图纸如果缩放许多倍的话，可以和整个纽约市另加郊区范围的地图比起，甚至还要简单，比如说一下，把整个纽约地图增大到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么简单，可想而知了吧。

　　当这些光刻工作全部已完成之后，晶圆被旋转过来。较短波长光线利用石英模板上镂空的刻痕照射晶圆的感光层上，然后撤除光线和模板。通过化学方法除去曝露在外边的感光层物质，而二氧化硅立刻在陋空方位的下方分解。

　　监测自动滑光刻工具中的晶圆，该工艺可清理晶圆上多余的操作者助剂或者污染物。　　掺入　　在残余的感光层物质被除去之后，只剩的就是充满著的沟壑的二氧化硅层以及曝露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作已完成。

然后，重新加入另一个具有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处用于到了金属原料（因此称为金属氧化物半导体），多晶硅容许在晶体管队列端口电压起起到之前创建门电路。

感光层同时还要被短波长光线利用掩模光刻。再行经过一部光刻，所需的全部门电路就早已基本成型了。然后，要对曝露独自的硅层通过化学方式展开离子轰击，此处的目的是分解N闸极或P闸极。

这个掺入过程创立了全部的晶体管及彼此间的电路相连，没有个晶体管都有输出末端和输入末端，两端之间被称作端口。　　反复这一过程　　从这一步起，你将持续加到层级，重新加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。反复这些步骤，然后就经常出现了一个多层立体架构，这就是你目前用于的处理器的兴起状态了。在每层之间使用金属涂膜的技术展开层间的导电相连。

今天的P4处理器使用了7层金属相连，而Athlon64用于了9层，所用于的层数各不相同最初的版图设计，并不必要代表着最后产品的性能差异。

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